效应 第2页

光生伏打效应(什么是光生伏打效应)

光生伏打效应(什么是光生伏打效应)

电子元器件 486
光生伏打效应 本文内容来自于互联网,分享光生伏打效应(什么是光生伏打效应) 光生伏打效应-正文   由光照引起电动势的现象。严格来讲,包括两种类型:一类是发生在均匀半导体材料内部;一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方,但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应,而...
多径(多径效应)

多径(多径效应)

电子元器件 385
多径 本文内容来自于互联网,分享多径(多径效应) 在无线通信领域,多径指无线电信号从发射天线经过多个路径抵达接收天线的传播现象。大气层对电波的散射、电离层对电波的反射和折射,以及山峦、建筑等地表物体对电波的反射都会造成多径传播。   多径会导致信号的衰落和相移。瑞利衰落就是一种冲激响应幅度服从瑞利分布...
霍尔效应(霍尔效应实验报告)

霍尔效应(霍尔效应实验报告)

电子元器件 449
霍尔效应 本文内容来自于互联网,分享霍尔效应(霍尔效应实验报告) 霍尔效应(Hall effect)是指当固体导体有电流通过,且放置在一个磁场内,导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边,继而产生电压,除导体外,半导体也能产生霍尔效应,而且半导体的霍尔效应要强于导体。电场力会平衡洛伦兹力。 解释 在导...
光伏效应(光伏效应原理)

光伏效应(光伏效应原理)

电子元器件 467
光伏效应 本文内容来自于互联网,分享光伏效应(光伏效应原理) 光伏效应-简介TopP-N结的形成: 同质结可用一块半导体经掺杂形成P区和N区。由于杂质的激活能量很小,在室温下杂质差不多都电离成受主离子NA-和施主离子ND+。在PN区交界面处因存在载流子的浓度差,故彼此要向对方扩散。设想在结形成的一...
磁电效应(特斯拉磁电效应)

磁电效应(特斯拉磁电效应)

电子元器件 378
磁电效应 本文内容来自于互联网,分享磁电效应(特斯拉磁电效应) 包括电流磁效应和狭义的磁电效应。电流磁效应是指磁场对通有电流的物体引起的电效应,如磁阻效应和霍耳效应;狭义的磁电效应是指物体由电场作用产生的磁化效应或由磁场作用产生的电极化效应如电致磁电效应或磁致磁电效应。   磁阻效应  外加磁场后,由...
3dj7g(3DJ7共源共栅场效应管收音机)

3dj7g(3DJ7共源共栅场效应管收音机)

电子元器件 389
3dj7g 本文内容来自于互联网,分享3dj7g(3DJ7共源共栅场效应管收音机) 场效应晶体管 3DJ7   3DJ7 是一种结型 N 沟道高跨导场效应管,其输入阻抗极高,在放大器电路中常用作其 中的输入极。也常用作为恒流源。此外,利用改变栅源间的电压,可以方便的改变漏极电流 这一特性亦可用作可调电阻...
s-w效应

s-w效应

电子元器件 376
s-w效应 本文内容来自于互联网,分享s-w效应 光致衰退效应   也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为Steabler-Wronski效应。   对S-W效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论,成为迄今...
场效应晶体管放大器(场效应晶体管放大器实验报告)

场效应晶体管放大器(场效应晶体管放大器实验报告)

电子元器件 375
场效应晶体管放大器 本文内容来自于互联网,分享场效应晶体管放大器(场效应晶体管放大器实验报告) 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。   2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原...
光生伏打效应(什么是光生伏打效应)_1

光生伏打效应(什么是光生伏打效应)_1

电子元器件 463
光生伏打效应 本文内容来自于互联网,分享光生伏打效应(什么是光生伏打效应) 光生伏打效应-正文   由光照引起电动势的现象。严格来讲,包括两种类型:一类是发生在均匀半导体材料内部;一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方,但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应,...
电子对效应(电子对效应名词解释)

电子对效应(电子对效应名词解释)

电子元器件 390
电子对效应 本文内容来自于互联网,分享电子对效应(电子对效应名词解释) 电子对效应,英文名称:Electronpaireffect。当辐射光子能量足够高时,在它从原子核旁边经过时,在核库仑场作用下,辐射光子可能转化成一个正电子和一个负电子,这种过程称作电子对效应。位于周期表第4.5.6周期的p区元素,有...